Твердотельная электроника. Учебное пособие.
7.3. Феноменологическое описание ВАХ динистора
Для объяснения ВАХ динистора используют двухтранзисторную модель. Из рисунка 7.5 следует, что тиристор можно рассматривать как соединение р-n-р транзистора с n-р-n транзистором, причем коллектор каждого из них соединен с базой другого. Центральный переход действует как коллектор дырок, инжектируемых переходом П1, и как коллектор электронов, инжектируемых переходом П2.

Рис. 7.5. Двухтранзисторная модель диодного тиристора
Взаимосвязь между токами эмиттера Iэ, коллектора Iк и статическим коэффициентом усиления по току α1 р1-n1-р2 транзистора и α2 n2-р1-n1 транзистора следующая. Представляя динистор как два транзистора, запишем следующие соотношения.
Пусть IП1 - ток через переход П1. Тогда часть тока IП1, дошедшая до коллекторного перехода П3 IП1 → П3, будет равна:

Если IП3 - ток через переход П2, аналогично:

Учтем еще один фактор - лавинное умножение в переходе П3 через коэффициент лавинного умножения М. Тогда суммарный ток IП3 через переход П3 будет равен:

где IК0 - обратный ток перехода П3 (генерационный и тепловой).
В стационарном случае токи через переходы П1, П2, и П3 равны, тогда

откуда

где α = α1 + α2 - суммарный коэффициент передачи тока первого (p1-n1-p2) и второго (n2-p2-n1) транзисторов.
Выражение (7.5) в неявном виде описывает ВАХ диодного тиристора на "закрытом" участке, поскольку коэффициенты М и α зависят от приложенного напряжения VG. По мере роста α и М с ростом VG, когда значение М(α1 + α2) станет равно 1, из уравнения (7.5) следует, что ток I устремится к ∞. Это условие и есть условие переключения тиристора из состояния "закрыто" в состояние "открыто".
Напряжение переключения Uперекл составляет у тиристоров от 20-50 В до 1000-2000 В, а ток переключения Iперекл - от долей микроампера до единиц миллиампера (в зависимости от площади).
Таким образом, в состоянии "закрыто" тиристор должен характеризоваться малыми значениями α и М, а в состоянии "открыто" - большими значениями коэффициентов α и М.
В закрытом состоянии (α - малы) все приложенное напряжение падает на коллекторном переходе П3 и ток тиристора - это ток обратно смещенного p-n перехода. Энергетическая диаграмма тиристора в состоянии равновесия приведена ранее на рисунке 7.1, а в режиме прямого смещения ("+" на слое р1) в закрытом состоянии представлена на рисунке 7.6.

Рис. 7.6. Зонная диаграмма и токи в тиристоре в закрытом состоянии [5]
Если полярность напряжения между анодом и катодом сменить на обратную, то переходы П1 и П3 будут смещены в обратном направлении, а П2 - в прямом. ВАХ тиристора в этом случае будет обычная ВАХ двух обратносмещенных p-n переходов.
Copyright © 2003-2008 Авторы
Ваш комментарий к статье | ||||