Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

2.4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда

Рассчитаем, как меняется концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда. Для определенности рассмотрим полупроводник n-типа. В условиях термодинамического равновесия концентрация основных nn0 и неосновных pn0 носителей выражается следующим образом (2.15)

поскольку EC - F + qφ0n = Eg/2.

Обозначим q/kT = β, тогда

   (2.15)

Для области пространственного заряда объемное положение уровня Ферми (x) меняется от точки к точке φ(x)= φon-ψ(x), как и концентрация основных nn0(x), так и неосновных носителей pn0(x).

С учетом зависимости φ(x)= φon - ψ(x), выражения для концентраций будут:

   (2.16)

Величины ns и ps - концентрации электронов и дырок на поверхности, носят названия поверхностных концентраций:

   (2.17)

Copyright © 2003-2008  Авторы







Ваш комментарий к статье
Барьеры Шоттки и pn-переходы - Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>