5.4. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме

Рассмотрим случай, когда на эмиттерный переход биполярного транзистора подано прямое, а на коллекторный – обратное смещение. Для p-n-p биполярного транзистора это U_э > 0, U_к < 0.

Для нахождения ВАХ в качестве входных параметров выбирают J_э, U_к; а выходных – J_к, U_э, из соображений удобства измерения. В (4.5) выразим ( - 1), подставим в J_к и получим:

Следовательно,

.   (5.6)

Соотношение (4.6) описывает семейство коллекторных характеристик I_к = f(U_к)с параметром I_э.

Семейство эмиттерных характеристик U_э = f(I_э) с параметром U_к получим из (5.5). Учитывая, что , получаем:

   (5.7)

Формулы (5.6) и (5.7) описывают характеристики транзистора, представленные на рис. 5.9.

Рис. 5.9. Вольт-амперные характеристики БТ в активном режиме: семейство коллекторных кривых

Для активного режима, когда U_э > 0, U_к < 0, |U_к| << 0, выражения (5.6) и (5.7) переходят в

   (5.8)