1.8. Токи в полупроводниках

Как уже отмечалось выше, проводимость, а следовательно, и ток в полупроводниках обусловлены двумя типами свободных носителей. Кроме этого, также есть две причины, обуславливающие появление электрического тока, - наличие электрического поля и наличие градиента концентрации свободных носителей. С учетом сказанного плотность тока в полупроводниках в общем случае будет суммой четырех компонент:

   (1.29)

где J - плотность тока, j_nE - дрейфовая компонента электронного тока, j_nD - диффузионная компонента электронного тока, j_pE - дрейфовая компонента дырочного тока, j_pD - диффузионная компонента дырочного тока.

Выражение для каждой из компонент тока дается следующими соотношениями:

   (1.30)

где D_n - коэффициент диффузии электронов, связанный с подвижностью электронов μ_n соотношением D_n = (kT/q)μ_n. Аналогичные соотношения существуют для коэффициентов диффузии дырок D_p и подвижности дырок μ_p.