Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Томас Блюм (перевод Ю. Потапова)

Выбор резисторов для СВЧ приложений

    СВЧ техника все активнее вторгается в жизнь рядового обывателя. Уже никого не удивишь сотовым телефоном или спутниковой антенной. Однако, мало кто догадывается, что разработчикам этой аппаратуры приходится решать различные задачи, связанные с выбором электронных компонентов. Данную публикацию мы посвятим проблеме правильного выбора резисторов для поверхностного монтажа, имеющих хорошие и предсказуемые параметры на частотах до 20 ГГц, а также вопросам их моделирования.

    Стандартный спиральный MELF (Metal ELectrode Face-bonding) резистор (рис. 1a), имеет большую последовательную индуктивность, которая создает недопустимое реактивное сопротивление даже на частотах в несколько ГГц (рис. 2). Для снижения паразитной индуктивности производители высокочастотных резисторов используют специальную ⌠импульсную■ топологию резистивного слоя (рис. 1б). В тех же целях возможно использование стандартной ⌠меандровой■ топологии резистивного слоя.

Для MELF-резисторов использование импульсной топологии (б) позволяет снизить паразитную последовательную индуктивность, по сравнению с обычной спиральной топологией (а)

Рис. 1. Для MELF-резисторов использование "импульсной" топологии (б) позволяет снизить паразитную последовательную индуктивность, по сравнению с обычной спиральной топологией (а)

Паразитная последовательная индуктивность стандартного MELF-резистора ММА0204 является причиной резонанса на частотах в несколько ГГц

Рис. 2. Паразитная последовательная индуктивность стандартного MELF-резистора ММА0204 является причиной резонанса на частотах в несколько ГГц. Использование специальной топологии в резисторе ММА 0204 HF позволяет сдвинцть этот резонанс далеко вверх по диапазону

    Помимо небольшой остаточной индуктивности в резисторе присутствует другой внутренний паразитный реактивный компонент ≈ параллельная емкость, возникающая между металлическим выводом и телом резистора, расположенным на керамическом диэлектрике. При монтаже резистора на плате между его выводами и общим проводом также возникает паразитная емкость, показанная на рис. 3 конденсаторами Ci.

Схема замещения высокочастотного резистора с паразитной емкостью выводов

Рис. 3. Схема замещения высокочастотного резистора с паразитной емкостью выводов

    Наличие упомянутых паразитных реактивных составляющих отражается на параметрах матрицы рассеяния (коэффициентах отражения и передачи) резистора. Поэтому для резисторов различных типов и размеров, предназначенных для поверхностного монтажа, можно сформулировать следующие правила:

Плоский чип-резистор со специальной топологией МСТ 0603 HF демонстрирует значительно лучшие характеристики, чем стандартные плоские чип-резисторы МСТ 0603 и MCU 0805

Рис. 4. Плоский чип-резистор со специальной топологией МСТ 0603 HF демонстрирует значительно лучшие характеристики, чем стандартные плоские чип-резисторы МСТ 0603 и MCU 0805. Параметры так же Micro-MELF резисторов MMU 0102 и ММА 0204 превосходят параметры всех упомянутых моделей

    В случае, когда разрабатываемое устройство будет работать вне диапазона частот, соответствующего неравенству 0,8 < ╫Z╫/R < 1,2, или в случае, когда требуется очень точно определить его частотные характеристики, необходимо учитывать не только внутренние, но и внешние паразитные реактивные составляющие, что позволит компенсировать их на нужных частотах. Наиболее простой и легкий способ ≈ моделировать устройства с использованием не идеальных, а поставляемых производителем моделей резисторов. Например, компания BC Components предоставляет точные модели для схемы замещения (рис. 3) для всех своих резисторов. Отметим, что внешние паразитные емкости Ci, возникающие между выводами компонента и общим проводом, зависят от материала печатной платы и ее топологии, а значит должны оцениваться и моделироваться разработчиком на уровне схемы, а не производителем на уровне компонента. Для данной схемы замещения резистора комплексное сопротивление рассчитывается по формуле:

Z = R╥(1 + jwL/R)/(1 √ w2LC + jwRC).

    Так как значение члена w2LC для высокочастотных резисторов, как правило, невелико, им можно пренебречь. После такого упрощения приведенная выше формула примет вид:

Z = R╥(1 + jwL/R)/(1 + jwRC)

    Это выражение показывает, что частотные характеристики резисторов определяются отношением L/R и произведением RC.

    Если значения L/R и RC будут равны, то импеданс резистора не будет зависеть от частоты. Однако такое равенство очень сложно реализовать на практике.

    Значения параметров схемы замещения реальных резисторов получаются посредством сравнения зависимостей ╫Z╫/R, построенных по измеренным параметрам матрицы рассеяния, с теоретически рассчитанными кривыми. Отметим, что здесь учитываются не только модуль, но и фаза этих характеристик.

Частотные зависимости нагрузки тракта 50 Ом, выполненной из двух параллельно включенных резисторов MMU 0102 HF с номиналом 100 Ом, и стандартных нагрузок, реализованных на стандартных разъемах BNC и N типов

Рис. 5. Частотные зависимости нагрузки тракта 50 Ом, выполненной из двух параллельно включенных резисторов MMU 0102 HF с номиналом 100 Ом, и стандартных нагрузок, реализованных на стандартных разъемах BNC и N типов

    Как показано на рис. 4, высокочастотные плоские чип-резисторы типа MCT 0603 HF обеспечивают вполне приемлемые характеристики на частотах вплоть до 10 ГГц. Для критических приложений, тем не менее, больше подходят MELF-резисторы MMU 0102 HF или MMA 0204 HF, успешно работающие на частотах до 38 ГГц. На рис. 5 показана частотная зависимость нагрузки тракта 50 Ом, выполненной из двух параллельно включенных резисторов MMU 0102 HF с номиналом 100 Ом (для дополнительного снижения паразитной последовательной индуктивности), а также зависимости стандартных нагрузок, реализованных на стандартных разъемах BNC и N типов.

CIE, ноябрь 1999

Тел.: 113 7001
E-mail: potapoff@rodnik.ru

 





ильдар пишет...

чем можно заменить резистор SQR SW47RJ помогити

02/01/2013 13:34:24



Ваш комментарий к статье
Выбор резисторов для СВЧ приложений :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>