Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Содержание ChipNews

2003: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2002: 
1, 5, 6, 7, 8, 9
2001: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
2000: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10
1999: 
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Многослойные варисторы

    Освоение выпуска оксидо-цинковых варисторов стимулировано развитием полупроводниковой и микроэлектронной техники, которая, в отличие от электронно-ламповой, обладает крайне низкой устойчивостью по отношению к перенапряжениям, возникающим в реальной аппаратуре. Причиной перенапряжений могут явиться грозовые разряды, коммутационные процессы, статическое электричество, электромагнитные наводки различной природы и другие.

    Оксидо-цинковые варисторы предназначены для защиты электрического и электронного оборудования от импульсных воздействий напряжения. Они имеют уникально высокую способность рассеивать энергию за счет перераспределения энергии в объеме варистора, обладают высоким быстродействием и малыми размерами.

    Многослойные варисторы (рис. 1) уже несколько лет успешно используются в различных областях и, в настоящее время, являются наиболее популярными компонентами защиты от импульсных воздействий напряжения. Высокое быстродействие и надежная проводимость в широком диапазоне температур, а также маленькие размеры (от 0805 до 2220) делают чип-варисторы наиболее привлекательными для электронной промышленности.

Структура многослойного варистора

Рис. 1. Структура многослойного варистора

    Варистор, прежде всего, предна-значен для защиты от перенапряжения, но также его можно использовать для защиты от побочных физических эффектов. Если посмотреть на внутреннюю структуру многослойного варистора, то станет очевидным, что его емкость зависит от площади S, числа внутренних электродов N и толщины керамического диэлектрика Т. Номинальное напряжение варистора также зависит от толщины керамического диэлектрика, поэтому емкость и напряжение варистора взаимозависимы. Вообще, для защиты линий передачи данных необходимо, чтобы емкость (включая паразитную) была низкой либо имела определенное значение. Слишком большая емкость на сигнальной линии отрицательно влияет на прохождение сигнала. С другой стороны, стандарты требуют наличия фильтрующих элементов, которые способны подавить нежелательные помехи (например, радио/электромагнитные).

    Для выполнения этих требований, были разработаны специальные многослойные варисторы с низким, определенным и высоким значениями емкости:

    Поскольку экономия пространства одна из основных целей каждой новой конструкции, варистор обеспечивает:

Выигрыш по площади

Рис. 2. Выигрыш по площади

    Варисторы обладают симметричной высоконелинейной вольт-амперной характеристикой при уникально высокой импульсной устойчивости. Оксидо-цинковые варисторы являются в настоящее время практически единственным быстродействующим средством защиты сложных и дорогостоящих полупроводниковых систем различного назначения, таких как:

    Вольт-амперная характеристика варистора аппроксимируется выражением:

I = kUa ,

    где: I ток, U напряжение, a коэффициент нелинейности, k коэффициент, учитывающий диапазон рабочих напряжений.

    Наилучшими вольт-амперными характеристиками обладают кремниевые ограничительные диоды и оксидо-цинковые варисторы. Ограничительные диоды обладают уникально высоким коэффициентом нелинейности ВАХ, но не способны рассеивать большие энергии из-за малого объема p-n-перехода. Это обуславливает резкое уменьшение допустимого тока в импульсе, протекающем через диод. Варисторы рассеивают энергию во всем объеме и допускают прохождение тока в импульсе до 4000 А, а также обладают симметричной ВАХ. В области низких токов электрические характеристики определяются высокоомным сопротивлением утечки и емкостью, которая незначительно меняется при изменении напряжения и температуры.

    Электростатический разряд может иметь положительную или отрицательную полярность. Поскольку многослойные варисторы являются двунаправленными элементами, они могут абсорбировать оба типа разряда, поэтому комбинация из 2 ограничительных диодов, 1 конденсатора и 1 резистора может быть заменена одним компонентом варистором (рис. 3). Для диодов максимально допустимый ток с ростом температуры уменьшается. Чтобы не превысить допустимый ток через диод, необходимо применение ограничивающего резистора. Благодаря структуре, многочисленные микроваристоры связаны в теле варистора, поэтому многослойные варисторы могут выдержать большие нагрузки, чем полупроводниковые эквиваленты. Другим преимуществом является стабильность параметров в диапазоне от -55 до +85 С.

Выигрыш по числу элементов

Рис. 3. Выигрыш по числу элементов

    Вместе с улучшением технической эффективности, применение варистора позволяет уменьшить затраты по установке (1 вместо 4 компонентов) и площади печатной платы, что приводит к сокращению до 30% стоимости.

    Применение в среднем 520 защищаемых линий в устройстве имеет большой потенциал по экономии средств и уменьшению числа компонентов.

    Разработанные Витебским Заводом Радиодеталей (ВЗРД) варисторы полностью соответствуют ТУ РБ 07615377.062-99, а также международным стандартам МЭК 384-10, МЭК 1051-1.

    Простейшие примеры применения варистров приведены на рис. 4, 5.

Рис. 4. Пример 1

Рис. 5. Пример 2

    ВЗРД выпускает варисторы в двух исполнениях: чип для поверхностного монтажа и выводные для навесного монтажа. Оба исполнения имеют идентичные электрические характеристики, кроме времени срабатывания. Для чип-исполнения время срабатывания составляет менее 5 нс, для выводного менее 25 нс.

    Серия МЧВН, МОВН варисторы общего назначения низкого напряжения. Изготавливаются на максимальное, непрерывное напряжение переменного тока 5060 Гц Urms = 2е40 В, максимальный ток одиночного импульса 8/20 мкс Imax до 4000 А.

    Серия МЧВС, МОВС варисторы общего назначения среднего напряжения. Изготавливаются на максимальное, непрерывное напряжение переменного тока 5060 Гц Urms = 11е300 В, максимальный ток одиночного импульса 8/20 мкс Imax до 1200 А.

    Примечание: варисторы МЧВС и МОВС изготавливаются по согласованию с потребителем. Мы надеемся, что этот обзор будет полезен разработчикам электронных схем. Более подробную техническую информацию можно получить непосредственно на ВЗРД.

Тел.: (0212) 333-176
(отдел маркетинга),
(0212) 33-20-43 (цех изготовитель).
Факс для заявок: (0212) 33-75-02






Ваш комментарий к статье
Многослойные варисторы :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>