Геннадий Каневский: Сказался ли мировой экономический кризис на бизнесе компании International Rectifier, и повлиял ли он на стратегию развития IR?

Бертольд Дюкер: Как и многие производители полупроводников, IR столкнулась с серьезным падением рыночного спроса во время последнего мирового финансового кризиса. Однако в этот сложный период компания приняла ряд мер для оптимизации линейки своих продуктов, а также контролировала оперативные расходы, продолжая инвестировать в новые разработки. Все это позволило подготовить компанию к серьезному росту, когда рынок восстановился.

Г.К.: Какие рынки в мире Вы видите наиболее перспективными в ближайшем будущем для реализации своей продукции? Считаете ли Вы таковым российский рынок?

Б.Д.: Помимо китайского, многообещающий рост демонстрируют рынки Индии, Бразилии, России и Восточной Европы в целом. У российского рынка - огромный потенциал. Компания IR представлена в России с 1996 года, и за последние несколько лет российский рынок дистрибьюции существенно вырос.

Г.К.: В России большую долю рынка составляют добывающие отрасли (нефте- и газодобыча), атомная энергетика, связь и транспорт (в том числе морской и речной флот). Здесь большим спросом пользуется высоконадежная HiRel-продукция, в производстве которой компания IR традиционно сильна. Каковы перспективы этого направления на российском рынке?

Б.Д.: Я бы добавил к списку отраслей, где управление электропитанием требует особой надежности и функциональности в жестких условиях эксплуатации, еще и производство космической и авиационной техники, а также медицинского оборудования. Покупатели в этих отраслях нуждаются в высокопроизводительных решениях от надежного и стабильного поставщика. В соответствии с этими требованиями IR предлагает широкий диапазон продукции от дискретных полупроводников и ИС до гибридных изделий и полностью интегрированных систем электропитания.

У России в этом сегменте рынка - многообещающий потенциал для динамичного роста. Растущий поток инвестиций Российского правительства и частного бизнеса способствует нарастанию спроса на высоконадежные компоненты.

Г.К.: Будет ли IR восстанавливать производство высоковольтных MOSFETs и возвращать себе утраченные позиции по этим транзисторам? Способна ли компания опередить конкурентов в этой области?

Б.Д.: Высоковольтные MOSFETs дают менее 30% мирового рынка, а с точки зрения прибыли они гораздо менее привлекательны по сравнению с низко- и средневольтными FETs. К тому же, разработчики и технологи достигли предела физических возможностей кремния. Таким образом, дальнейшее повышение производительности высоковольтных MOSFET не оправдывает затрат и технически становится все более сложным.

Чтобы преодолеть ограничения кремния, в сентябре 2008 года компанией IR была запущена технологическая платформа собственной разработки для силовых устройств на базе нитрида галлия "GaNpowIR", основанная на 150-мм эпитаксиальной технологии «нитрид галлия на кремнии» (GaN-on-Si). Платформа GaNpowIR предоставляет потребителям существенно лучшие ключевые показатели (до десяти раз) по сравнению с современными технологическими платформами на базе кремния, что значительно повышает производительность и снижает энергопотребление приложений в различных секторах рынка, таких, как компьютеры и оборудование связи, автомобильная электроника и потребительская техника.

В феврале 2010 года мы начали серийное производство первых продуктов на базе GaN-on-Si. Это силовые модули iP2010 и iP2011, предназначенные для мультифазных и POL-применений, включая серверы, роутеры и POL DC/DC-преобразователи общего применения.

Г.К.: Очевидно, что у IR главным фокусным направлением является производство MOSFETs напряжением от 20 до 250 В, примерно половина продаж приходится именно на них. Что нового следует ожидать в их линейке?

Б.Д.: Мы предлагаем покупателям большую линейку силовых MOSFETs с использованием новейших кремниевых технологий IR, обеспечивающих эталонную производительность в широком диапазоне напряжений. У этих изделий - различные уровни RDS(on) и заряда затвора, и покупатель может выбрать оптимальное сочетание производительности и цены для своей разработки.

Что касается новых продуктов - мы будем продолжать повышать их производительность. К примеру, мы продолжим улучшать критические параметры эталонных MOSFETs в корпусах Small Can, Medium Can и Large Can DirectFET®. К примеру, мы недавно запустили в производство транзистор IRF6798MPbF в корпусе Medium Can DirectFET, и он имеет показатель Rds(on) менее 1 мОм, что обеспечивает очень высокий КПД во всем диапазоне нагрузки.

Мы также представили MOSFETs в корпусах PQFN с использованием технологии Copper Clip. Эти изделия высотой всего 0,9 мм со стандартной индустриальной распиновкой характеризуются высоким значением тока и низким RDS(on), результатом чего являются более высокие по сравнению с альтернативными дискретными решениями КПД, плотность мощности и надежность. Это позволяет применять новые изделия там, где существенно ограничено свободное место на плате.