При одинаковых условиях эксплуатации и габаритах модули SKiiP4 обеспечивают на 33% большую мощность, чем компоненты предыдущего поколения SKiiP3. Это позволяет создавать более мощные и в то же время более компактные преобразователи при меньших финансовых затратах. Повышение мощности силового ключа прижимного типа достигнуто за счет модернизации конструкции радиатора и применения чипов IGBT и диодов нового поколения IGBT4 и CAL4. Дальнейший скачок в расширении диапазона мощности достигнут за счет применения шести параллельных полумостовых элементов вместо четырех, как было до настоящего времени.

Применение технологии низкотемпературного спекания вместо традиционной пайки для установки чипов на DBC-плату позволяет повысить надежность и срок службы силового ключа даже при работе на повышенной рабочей температуре. Слой спеченного серебряного порошка имеет меньшее тепловое сопротивление и лучшую эластичность, чем паяное соединение. Благодаря более высокой температуре плавления серебра полностью исключаются усталостные эффекты в соединительном слое чипов.

Как и у модулей предшествующих поколений, в конструкции SKiiP 4 использованы все элементы, необходимые для реализации законченного IPM: радиатор, силовой каскад, схема управления и защиты, а также датчики. В модулях прижимного типа SKiiP технология монтажа и обеспечения электрического и теплового контакта играет решающую роль. Для подтверждения уникальных свойств силовых модулей компания SEMIKRON проводит уникальные испытания на отказ SKiiP в реальных условиях эксплуатации. Эти тесты проводятся при максимально возможной температуре кристаллов, они позволяют выявить на ранней стадии основные механизмы отказов и принять соответствующие меры.

В прижимных модулях SKiiP 4 использована усовершенствованная ламинированная копланарная DC-шина, обеспечивающая равномерное распределение токов. Каждый чип IGBT и диода имеет индивидуальное подключение к DC-шине, что позволяет свести к минимуму значение распределенного сопротивления и паразитной индуктивности соединений. Благодаря отсутствию базовой платы и использованию технологии низкотемпературного спекания чипов модули SKiiP обладают очень высокой стойкостью к термоциклированию.

Полумостовые модули SKiiP 4 с рабочим напряжением 1200 В и 1700 В могут включать три, четыре и шесть параллельных полумостовых элементов (рис. 1).

В драйвере SKiiP 4 использован цифровой способ трансляции данных по дифференциальному каналу, что позволяет обеспечить отличное качество передачи сигнала управления, высокую помехозащищенность и хороший иммунитет к dv/dt. При этом динамические характеристики канала трансляции обладают высокой временной стабильностью и не зависят от изменения параметров элементов схемы в процессе их старения. Гальваническая изоляция импульсов управления затворами и сигналов датчиков обеспечивается с помощью импульсных трансформаторов. Цифровой интерфейс драйвера позволяет пользователю настраивать ряд функций схемы защиты и проводить диагностику режимов работы силовых каскадов.

План выпуска

• Инженерные образцы и предварительные технические характеристики:

- 3GB, 1200V/1700V - август 2009

- 4GB, 1200V/1700V - август 2009

- 6GB, 1200V/1700V - август 2009

• Техническая документация в интернете:

- 4 квартал 2009.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка - e-mail: power.vesti@compel.ru