НОВЫЕ МОДУЛИ SEMIX TRENCH IGBT 600 В С ПОВЫШЕННОЙ РАБОЧЕЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ

SEMIKRON представляет новые транзисторы IGBT технологии Trench с рабочим напряжением 600 В. В отличие от серийно выпускаемых транзисторов предельная температура кристалла новых IGBT повышена до 175 °С.

Повышенная температура кристалла позволяет получить дополнительные преимущества при эксплуатации:

• больший предельный рабочий ток;

• пониженные требования к системе охлаждения;

• увеличенный ресурс.

Между рабочей температурой кристалла и сроком службы существует простая зависимость. Срок службы определяется значениями средней температуры (Tav = (Tmax - Tmin)/2) и градиента температуры (dT — Tmax— — Tmin) при термоциклироваиии. Для новых модулей SEMIKRON производит испытания на тер-моциклирование в соответствии со стандартом IEC 60747 при перепаде температур 125° С (50°С...175°С) вместо стандартного значения градиента 100°С.

Повышение допустимой температуры кристалла позволяет увеличить предельную допустимую токовую нагрузку модулей. Для новых модулей SEMiX202GB066HD это означает пропорциональное увеличение максимального тока:

• Tjmax - 150°С 1С = 160 А

• Tjmax - 175°С 1С - 190 А

В технических характеристиках на новые модули приводятся значения предельного тока коллектора для двух температур: 150°С и 175°С, что позволяет разработчику оптимизировать рабочие режимы эксплуатации и режимы перегрузки.

Вернуться к содержанию номера