CHIPINFO - принципиальные схемы электронных устройств. Высокостабильный источник образцового напряженияВысокостабильный источник образцового напряжения
Экспериментальные исследования схемы высокостабильного источника образцового напряжения (рис.1) в диапазоне температур от 18±С до 50±С показывают, что температурная погрешность не превышает ±0.001%/°С, временной дрейф не более ±0.005% за сутки. Источник имеет небольшой температурный гистерезис (рис.2).
Рис .1 Схема высокостабильного источника образцового напряжения.
Рис. 2 Температурная характеристика источника.
Для обеспечения высокой стабильности в схеме использован метод подогрева кристалла и отслеживание температуры подогрева. Для исследования выбрано транзисторную сборку типа 1НТ251, с Ik max=0.4 A Pk max=0.4 VA. Транзистор Q2 служит для подогрева кристалла, а Q4 - датчик температуры. Стабилитрон D1 - Д818Е. Рабочий режим устанавливается за время не более 1 мин.
Вернуться к списку схем, категория "Источники питания"
|
Евгений (другой) пишет... Шесть знаков без термостата? Не верю. Ложь!!! 16/11/2014 14:29:16 |
| Ваш комментарий к статье | ||||
