Параметры интегральной микросхемы К174УН8Принципиальная схема ИМС К174УН8
Типовая схема включения ИМС К174УН8
Схема включения ИМС К174УН8 с заземленной нагрузкой
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература
═ ═ ═ ═ Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 2,0 гр.
Корпус ИМС К174УН8
1 - коррекция Icc выходных транзисторов; 2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - питание +Uи.п.;
8 - выход;
9 - общий -Uи.п..
Принципиальная схема ИМС К174УН8
Типовая схема включения ИМС К174УН8
Схема включения ИМС К174УН8 с замленной нагрузкой
Электрические параметры
| ═ 1 ═ | ═ Номинальное напряжение питания | ═ 12 В ╠ 10% |
| ═ 2 ═ | ═ Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В | ═ 15 мА |
| ═ 3 ═ | ═ Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В | ═ 4┘40 |
| ═ 4 ═ |
═ Нестабильность коэффициента усиления напряжения при ═ Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом |
═ ═ 20 % |
| ═ 5 ═ |
═ Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц ═ Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт |
═ ═ 2 % |
| ═ 6 ═ | ═ Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц | ═ 10 кОм |
| ═ 7 ═ | ═ Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома | ═ 2,5Вт |
| ═ 8 ═ | ═ Диапазон рабочих частот | ═ 30┘20 000 Гц |
| ═ 9 ═ | ═ Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт | ═ 50 % |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| ═ 1 ═ | ═ Напряжение питания | ═ 13,2 В |
| ═ 2 ═ | ═ Амплитудное значение тока в нагрузке | ═ 1,09 А |
| ═ 3 ═ | ═ Сопротивление нагрузки | ═ 4 Ом |
| ═ 4 ═ ═ ═ |
═ Тепловое сопротивление: ═ ═ кристалл-корпус ═ ═ кристалл-среда |
═ ═ 60°С/Вт ═ 135°С/Вт |
| ═ 5 ═ | ═ Температура окружающей среды | ═ -25...+55°С |
| ═ 6 ═ | ═ Температура кристалла | ═ +125 °С |
Общие рекомендации по применению
═ ═ ═ ═ При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ╠ 5 °С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.
═ ═ ═ ═ Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода. Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной нагрузкой).
═ ═ ═ ═ Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода для соединения с навесными элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
═ ═ ═ ═ Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4, а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.
═ ═ ═ ═ Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
| Ваш комментарий к статье | ||||
