Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Отечественные, серии:

Новости электроники

Мне нравится

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод - это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не "ИК светодиод" и "Светодиод инфракрасный", как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет... пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Спасибо!

Корпуса ИМС К174УН5
Принципиальная схема ИМС К174УН5
Типовая схема включения ИМС К174УН5
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература


═ ═ ═ ═ Микросхема представляет собой усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры. Содержит 42 интегральных элемента. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1 и второй вариант приведен на рисунке, масса не более 2 гр.

Корпуса ИМС К174УН5

 238.12-1 type package view 1,12 - общий
2 - выход
4 - напряжение питания
5,8 - фильтр
6 - вход 2
7 - вход 1
9,11 - коррекция
 Another package view for K174UN5 IC 33,37 - общий
29 - выход
25 - напряжение питания
2,810 - фильтр
12 - вход 2
14 - вход 1
6,22 - коррекция


Принципиальная схема ИМС К174УН5

 K174UN5 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН5

 K174UN5 application scheme

Электрические параметры

═ 1 ═ ═ Номинальное напряжение питания 12 В ╠ 10 %
═ 2 ═ ═ Ток потребления при Uп = 12 В 30 мА
═ 3 ═ ═ Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц 80 ... 120
═ 4
═ Нестабильность коэффициента усиления напряжения ═
═ при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц не более

╠ 20 %
═ 5
═ Коэффициент нелинейных искажений при
Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2 Вт

1,0 %
═ 6 ═ ═ Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц 10 кОм
═ 7
═ Номинальная мощность отдаваемая в нагрузку
Rн = 4 Ома при Uп = 12 В

2,0 Вт
═ 8 ═ ═ Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ 30 ... 20 000 Гц ═


Предельно допустимые режимы эксплуатации

═ 1 ═ ═ Напряжение питания 13,2 В
═ 2 ═ ═ Максимальное напряжение синфазных сигналов 5,5 В
═ 3 ═ ═ Максимальная амплитуда выходного напряжения 1,5 В
═ 4 ═ ═ Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала 1,45 А
═ 5
═ Максимальная длительность выходного импульса
при скважности 3
30 мС
═ 6 ═ ═ Активное сопротивление нагрузки 3,2 Ом
═ 7 ═ ═ Температура кристалла +125 °С
═ 8

═ Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда

═ 20 °С/Вт
═ 100 °С/Вт
═ 9 ═ ═ Температура окружающей среды -25 ... +55 °С


Общие рекомендации по применению

═ ═ ═ ═ Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.

═ ═ ═ ═ При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхемы допускается только с применением теплоотвода.

═ ═ ═ ═ При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки при монтаже микросхемы не более 265°С, продолжительность пайки вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов - 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки на менее 1 мм.

═ ═ ═ ═ При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.







Ваш комментарий к статье
Параметры интегральной микросхемы К174УН5 :
Ваше имя:
Отзыв: Разрешено использование тэгов:
<b>жирный текст</b>
<i>курсив</i>
<a href="http://site.ru"> ссылка</a>