К157ХП2 - микросхема генератора токов стирания и подмагничивания и стабилизатора напряжения с электронным управлением

Функциональная схема и назначение выводов К157ХП2

Функциональная схема ИС К157ХП2, совмещенная с типовой схемой включе ния, приведена на рис. 15. Микросхема включает в себя источник образцового напряжения (4) с устройством управления временем включения и выключения, усилигель сигнала рассогласования (3), регулирующий элемент (2) с токовой и тепловой защитой, выходной делитель (1) и отдельные транзисторные структуры с цепями смещения для создания генератора токов стирания и подмагничивания. Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено как внутренним делителем, так и внешним, подключаемым к выводам 11, 6, 7 микро- схемы. Допускается совместное использование делителей. При использовании внутреннего делителя могут быть установлены выходные напряжения, близкие к указанным в таблице.

С помощью внешнего делителя можно установить выходное напряжение от 1.3 до 33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно превышать выходное не менее чем на 2,5 В. Время включения и выключения выходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденсатора, подключаемого к выводам 7 и 8 микросхемы.

При температуре окружающей среды от +25 до +70 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле:

Внешний вид К157ХП2

Электрические параметры К157ХП2

• Пределы регулирования выходного напряжения, В.......1,3...33
• Выходное напряжение закрытого стабилизатора, В, не более ........ 0,1
• Ток холостого хода, мА............ 3,2...7,0
• Ток холостого хода закрытого стабилизатора, мА....... 0,5...2,0
• Входной ток усилителя сигнала рассогласования, мкА, не более . . 0.5
• Выходной ток устройства управления временем включения, мА ....... 1,0 ...2.6
• Ток, потребляемый устройством управления временем включения, мА 1.0...2.9
• Коэффициент нестабильности по напряжению, не более..... ±0.002
• Коэффициент нестабильности по току, не более........±0.01
• Относительный температурный коэффициент выходного напряжения, %/°С, не более .......0,05
• Ток короткого замыкания, мА, не более........... 150. 45О
• Параметры транзисторных структур:
  Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 100 мА, Ig - = 2,5 мА, В, не более ............ 0,75
  Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 100 мА, IБ - 2,5 мА, В, не более ............ 1,25
  Начальный ток коллектора при R6=10 кОм, мкА, не более ...... 1.0

Предельно допустимые режимы эксплуатации К157ХП2

• Входное напряжение, В................. 4-40
• Выходной ток стабилизатора, мА, не более ........ 1,0
• Напряжение коллектор-эмиттер транзисторных структур, В, не более 40 Напряжение эмиттер-база транзисторных структур, В, не более .... 7
• Постоянный ток коллектора транзисторных структур, мА, не более 150 Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур - 25... + 25°С). Вт 1

Принципиальная схема К157ХП2

Источник образцового напряжения выполнен по термокомпенсированнон схеме на транзисторах VT1O, VT12, VT15, VT17 (температурный коэффициент напряжения не превышает 0,01 мВ/°С), обеспечивающей значение образцового напряжения 1,25...1,35 В, т. е. весьма близкое к напряжению энергетической зоны полупроводникового материала (1,206 В для кремния). Питание транзисторов источника обеспечивается генератором тока на транзисторах VT2, VT4, VT7 и токовым отражателем на транзисторах VTSr и VT9.

Усилитель сигнала рассогласования выполнен на транзисторах VT20, V Т27 и VT21, VT26, образующих входной дифференциальный каскад с активной нагрузкой на транзисторах VT23. VT25. Один из коллекторов транзистора VTN служит динамической нагрузкой выходного каскада усилителя сигнала рассогласования, а остальные - генераторами тока. Режим транзистора VT14 обеспечивается источником тока на транзисторах VTI, VT3, VT6, VT8. Регулирующий транзистор VT24 управляется усилителем рассогласования через эмиттерный повторитель на транзисторе VT22.

Для защиты стабилизатора от перегрузок (при превышении тока нагрузки более 200 мА) предназначены транзистор VT19 в диодном включении и резистор R12, падение напряжения на котором при перегрузке открывает диод и закрывает транзистор. Проводимость последнего уменьшается, а следовательно, уменьшаются и базовые токи транзисторов VT22 и VT24, что ведет к ограничению проходящего через них тока нагрузки.

Защита кристалла от перегрева осуществляется транзистором VT18, на базу которого подана часть образцового напряжения, недостаточная для его открывания при нормальной температуре. При повышении температуры кристалла до +165...180°С транзистор VT18 открывается и шунтирует базовую цепь транзистора VT22. Транзисторы VT29 и VT30 предназначены для построения генератора тока стирания и подмагничивания.