Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхемы представляют собой прецезионные малошумящие операционные усилители с выходным напряжением 10 В, большими коэффициентами усиления и подавления синфазной составляющей, низким дрейфом напряжения смещения нуля и чувствительностью к изменениям напряжения питания (коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля менее 35 мкВ/В). Имеют защиту выхода от коротких замыканий. Содержат 45 интегральных элементов. Корпус К153УД5 типа 301.8-2, К153УД501 типа 3101.8-1, масса не более 1,3 г.
Корпус ИМС К153УД5Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
1,8 - балансировка; 2 - инвертирующий вход; 3 - неинвертирующий вход; 4 - напряжение питания (-Uп);
5 - частотная коррекция; 6 - выход; 7 - напряжение питание (+Uп);
Электрические параметры
1 | Номинальное напряжение питания | 15 В 10 % |
2 | Максимальное выходное напряжение при Uп= 15 В, Uвх= 0,1 0,01 В, Rн= 2 0,04 кОм |
| 10| В |
3 | Напряжение смещения нуля при Uп= 15 В, Rн 10 кОм | 2,5 мВ |
4 | Средний входной ток при Uп= 15 В, Rн 10 кОм | 250 нА |
5 | Разность входных токов при Uп= 15 В, Rн 10 кОм | 30 нА |
6 | Ток потребления при Uп= 15 В, Rн 10 кОм | 5 мА |
7 | Коэффициент усиления напряжения при Uп= 15 В, Rн=2 0,04 кОм, | 400000 |
8 | Коэффициент ослабления синфазных напряжений при Uп= 15 В, Rн 10 кОм | 94 дБ |
9 | Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля при Uп= 15 В, Rн 10 кОм | 35мкВ/В |
10 | Частота единичного усиления | 0,1 МГц |
11 | Входное сопротивление | 1 МОм |
12 | Температурный дрейф напряжения смещения нуля | 7 мкВ/ ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
1 | Напряжение питания       в предельном режиме |
(13,5...16,5) В (5...16,5) В |
2 | Входное напряжение       в предельном режиме |
|
4,5| В 5 В |
3 | Синфазные входные напряжения | | 13,5| В |
4 | Сопротивление нагрузки | 2 кОм |
5 | Рассеиваемая мощность       в предельном режиме |
450 мВт, 500 мВт |
6 | Статический потенциал | 100 В |
7 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Общие рекомендации по применению
Максимальная температура пайки микросхем (270 10) ° C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 3 с. При проведении монтажных операций допускается не более трех перепаек микросхем. Корпус ИС находится под отрицательным потенциалом.
Зарубежные аналоги
µ A725
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.
Антон пишет... Перезвоните мне пожалуйста 8(900) 629-95-38 Антон. 07/10/2019 09:25:39 |
Ваш комментарий к статье | ||||